Numero di Prodotto del Fabbricante:
FQP12P10
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FQP12P10-DG
Descrizione:
MOSFET P-CH 100V 11.5A TO220-3
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 100 V 11.5A (Tc) 75W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventario:
12849494
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FQP12P10 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
QFET®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
11.5A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
290mOhm @ 5.75A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
800 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
75W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220-3
Pacchetto / Custodia
TO-220-3
Numero di prodotto di base
FQP12
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
50
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
FQP17P10
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
FQP17P10-DG
PREZZO UNITARIO
0.64
TIPO DI SOSTITUZIONE
MFR Recommended
NUMERO DI PARTE
IRF9Z24NPBF
FABBRICANTE
Infineon Technologies
QUANTITÀ DISPONIBILE
1872
NUMERO DI PEZZO
IRF9Z24NPBF-DG
PREZZO UNITARIO
0.25
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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