Numero di Prodotto del Fabbricante:
FQP17P10
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FQP17P10-DG
Descrizione:
MOSFET P-CH 100V 16.5A TO220-3
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 100 V 16.5A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventario:
12849070
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FQP17P10 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tube
Serie
QFET®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
16.5A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 8.25A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1100 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
100W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220-3
Pacchetto / Custodia
TO-220-3
Numero di prodotto di base
FQP17
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
50
Altri nomi
ONSONSFQP17P10
2156-FQP17P10-OS
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IRF9530NPBF
FABBRICANTE
Infineon Technologies
QUANTITÀ DISPONIBILE
39687
NUMERO DI PEZZO
IRF9530NPBF-DG
PREZZO UNITARIO
0.32
TIPO DI SOSTITUZIONE
Direct
Certificazione DIGI
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