Numero di Prodotto del Fabbricante:
FQP11N40C
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FQP11N40C-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 400V 10.5A TO220-3
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 400 V 10.5A (Tc) 135W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventario:
1566 Pz Nuovo Originale Disponibile
12847847
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
FQP11N40C Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tube
Serie
QFET®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
400 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
10.5A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
530mOhm @ 5.25A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1090 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
135W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220-3
Pacchetto / Custodia
TO-220-3
Numero di prodotto di base
FQP11
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
50
Altri nomi
2156-FQP11N40C-OS
FQP11N40CFS
ONSONSFQP11N40C
FQP11N40C-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
FQI4N80TU
MOSFET N-CH 800V 3.9A I2PAK
AOW7S60
MOSFET N-CH 600V 7A TO262
FQPF30N06
MOSFET N-CH 60V 21A TO220F
