Numero di Prodotto del Fabbricante:
FQI4N80TU
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FQI4N80TU-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 800V 3.9A I2PAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 800 V 3.9A (Tc) 3.13W (Ta), 130W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Inventario:
12847848
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FQI4N80TU Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
QFET®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
800 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
3.9A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.6Ohm @ 1.95A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
880 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3.13W (Ta), 130W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-262 (I2PAK)
Pacchetto / Custodia
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numero di prodotto di base
FQI4N80
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
1,000
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IRFBE30LPBF
FABBRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTITÀ DISPONIBILE
990
NUMERO DI PEZZO
IRFBE30LPBF-DG
PREZZO UNITARIO
1.08
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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