Numero di Prodotto del Fabbricante:
FQP10N20C
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FQP10N20C-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220-3
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 200 V 9.5A (Tc) 72W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventario:
12840196
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FQP10N20C Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
QFET®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
200 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
9.5A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
360mOhm @ 4.75A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
510 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
72W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220-3
Pacchetto / Custodia
TO-220-3
Numero di prodotto di base
FQP10
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
50
Altri nomi
2156-FQP10N20C-OS
ONSONSFQP10N20C
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
RCX100N25
FABBRICANTE
Rohm Semiconductor
QUANTITÀ DISPONIBILE
429
NUMERO DI PEZZO
RCX100N25-DG
PREZZO UNITARIO
0.86
TIPO DI SOSTITUZIONE
Direct
NUMERO DI PARTE
IRF630
FABBRICANTE
Harris Corporation
QUANTITÀ DISPONIBILE
11535
NUMERO DI PEZZO
IRF630-DG
PREZZO UNITARIO
0.80
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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