Numero di Prodotto del Fabbricante:
FCMT360N65S3
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FCMT360N65S3-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 650V 10A 4PQFN
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 650 V 10A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount 4-PQFN (8x8)
Inventario:
12840199
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FCMT360N65S3 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
SuperFET® III
Stato del prodotto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
360mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4.5V @ 200µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
730 pF @ 400 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
83W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
4-PQFN (8x8)
Pacchetto / Custodia
4-PowerTSFN
Numero di prodotto di base
FCMT360
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
FCMT360N65S3OSTR
FCMT360N65S3OSDKR
FCMT360N65S3-DG
FCMT360N65S3OSCT
2156-FCMT360N65S3TR
2832-FCMT360N65S3TR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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