FQI3P50TU
Numero di Prodotto del Fabbricante:

FQI3P50TU

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

FQI3P50TU-DG

Descrizione:

MOSFET P-CH 500V 2.7A I2PAK
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 500 V 2.7A (Tc) 3.13W (Ta), 85W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)

Inventario:

RFQ Online
12846699
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FQI3P50TU Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
QFET®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
500 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
2.7A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.9Ohm @ 1.35A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
660 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3.13W (Ta), 85W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-262 (I2PAK)
Pacchetto / Custodia
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numero di prodotto di base
FQI3

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
1,000

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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