Numero di Prodotto del Fabbricante:
FCU850N80Z
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FCU850N80Z-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 800V 6A IPAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 800 V 6A (Tc) 75W (Tc) Through Hole I-PAK
Inventario:
12846707
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FCU850N80Z Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
SuperFET® II
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
800 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
850mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4.5V @ 600µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1315 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
75W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
I-PAK
Pacchetto / Custodia
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numero di prodotto di base
FCU850
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
75
Altri nomi
ONSFSCFCU850N80Z
2156-FCU850N80Z-OS
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IPU95R450P7AKMA1
FABBRICANTE
Infineon Technologies
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
IPU95R450P7AKMA1-DG
PREZZO UNITARIO
0.98
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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