Numero di Prodotto del Fabbricante:
FQI12N60TU
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FQI12N60TU-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 10.5A I2PAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 600 V 10.5A (Tc) 3.13W (Ta), 180W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Inventario:
12836483
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FQI12N60TU Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
QFET®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
600 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
10.5A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
700mOhm @ 5.3A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
54 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1900 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3.13W (Ta), 180W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-262 (I2PAK)
Pacchetto / Custodia
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numero di prodotto di base
FQI1
Scheda dati e documenti
Scheda Dati HTML
Schede dati
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
1,000
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
AOW11N60
FABBRICANTE
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
QUANTITÀ DISPONIBILE
773
NUMERO DI PEZZO
AOW11N60-DG
PREZZO UNITARIO
0.82
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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