Numero di Prodotto del Fabbricante:
FQB9N08LTM
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FQB9N08LTM-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 80V 9.3A D2PAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 80 V 9.3A (Tc) 3.75W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventario:
12836504
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
FQB9N08LTM Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
QFET®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
80 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
9.3A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
210mOhm @ 4.65A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
6.1 nC @ 5 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
280 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3.75W (Ta), 40W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-263 (D2PAK)
Pacchetto / Custodia
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numero di prodotto di base
FQB9
Scheda dati e documenti
Scheda Dati HTML
Schede dati
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
800
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
FDP047N10
MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
ATP208-TL-H
MOSFET N-CH 40V 90A ATPAK
FDPF045N10A
MOSFET N-CH 100V 67A TO220F
