FQB9N08LTM
Numero di Prodotto del Fabbricante:

FQB9N08LTM

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

FQB9N08LTM-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 80V 9.3A D2PAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 80 V 9.3A (Tc) 3.75W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventario:

12836504
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FQB9N08LTM Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
QFET®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
80 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
9.3A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
210mOhm @ 4.65A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
6.1 nC @ 5 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
280 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3.75W (Ta), 40W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-263 (D2PAK)
Pacchetto / Custodia
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numero di prodotto di base
FQB9

Scheda dati e documenti

Scheda Dati HTML
Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
800

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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