Numero di Prodotto del Fabbricante:
FQD4N20LTM
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FQD4N20LTM-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 200V 3.2A DPAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 200 V 3.2A (Tc) 2.5W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventario:
12836574
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
FQD4N20LTM Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
QFET®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
200 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
3.2A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.35Ohm @ 1.6A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
5.2 nC @ 5 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
310 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2.5W (Ta), 30W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-252AA
Pacchetto / Custodia
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numero di prodotto di base
FQD4
Scheda dati e documenti
Scheda Dati HTML
Schede dati
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,500
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IRFR224PBF
FABBRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTITÀ DISPONIBILE
2372
NUMERO DI PEZZO
IRFR224PBF-DG
PREZZO UNITARIO
0.55
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
FDG312P
MOSFET P-CH 20V 1.2A SC88
2SK4116LS
MOSFET N-CH 400V 8.9A TO220FI
FDS8882
MOSFET N-CH 30V 9A 8SOIC
