FDG312P

Numero di Prodotto del Fabbricante:

FDG312P

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

FDG312P-DG

Descrizione:

MOSFET P-CH 20V 1.2A SC88

Descrizione Dettagliata:

P-Channel 20 V 1.2A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SC-88 (SC-70-6)

Inventario:

RFQ Online

12836577

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FDG312P Specifiche Tecniche

Categoria

FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET

Produttore

onsemi

Imballaggio

-

Serie

PowerTrench®

Stato del prodotto

Active

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione da drain a source (Vdss)

20 V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C

1.2A (Ta)

Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

180mOhm @ 1.2A, 4.5V

vgs(th) (massimo) @ id

1.5V @ 250µA

Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs

5 nC @ 4.5 V

Vgs (massimo)

±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds

330 pF @ 10 V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

750mW (Ta)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SC-88 (SC-70-6)

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Numero di prodotto di base

FDG312

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

Scheda Dati HTML

Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard

3,000

Altri nomi

FDG312PTR

FDG312PDKR

FDG312PCT

2832-FDG312P

FDG312P-DG

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS

ROHS3 Compliant

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)

1 (Unlimited)

Stato REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

Certificazione DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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