FQD3N30TM
Numero di Prodotto del Fabbricante:

FQD3N30TM

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

FQD3N30TM-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 300V 2.4A DPAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 300 V 2.4A (Tc) 2.5W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Inventario:

12850835
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FQD3N30TM Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
QFET®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
300 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
2.4A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.2Ohm @ 1.2A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
7 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
230 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2.5W (Ta), 30W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-252AA
Pacchetto / Custodia
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numero di prodotto di base
FQD3

Scheda dati e documenti

Scheda Dati HTML
Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
2,500

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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