Numero di Prodotto del Fabbricante:
FQP2N60C
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FQP2N60C-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 2A TO220-3
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 600 V 2A (Tc) 54W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventario:
12850836
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FQP2N60C Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
QFET®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
600 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.7Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
235 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
54W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220-3
Pacchetto / Custodia
TO-220-3
Numero di prodotto di base
FQP2
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
1,000
Altri nomi
FAIFSCFQP2N60C
FQP2N60C-DG
2156-FQP2N60C-OS
FQP2N60CFS
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IRFBC20PBF
FABBRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTITÀ DISPONIBILE
7738
NUMERO DI PEZZO
IRFBC20PBF-DG
PREZZO UNITARIO
0.47
TIPO DI SOSTITUZIONE
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