FDP047N10
Numero di Prodotto del Fabbricante:

FDP047N10

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

FDP047N10-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventario:

917 Pz Nuovo Originale Disponibile
12836513
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FDP047N10 Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tube
Serie
PowerTrench®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.7mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
210 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
15265 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
375W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220-3
Pacchetto / Custodia
TO-220-3
Numero di prodotto di base
FDP047

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
FDP047N10
Scheda Dati HTML
FDP047N10-DG
Schede dati
FDP047N10

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
50
Altri nomi
ONSONSFDP047N10
2156-FDP047N10-OS
2832-FDP047N10

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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