Numero di Prodotto del Fabbricante:
FQAF13N80
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FQAF13N80-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 800V 8A TO3PF
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 800 V 8A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-3PF
Inventario:
12850433
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FQAF13N80 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
QFET®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
800 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
750mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
88 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
3500 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
120W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-3PF
Pacchetto / Custodia
TO-3P-3 Full Pack
Numero di prodotto di base
FQAF13
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
30
Altri nomi
2156-FQAF13N80-OS
ONSONSFQAF13N80
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
STW10NK80Z
FABBRICANTE
STMicroelectronics
QUANTITÀ DISPONIBILE
39
NUMERO DI PEZZO
STW10NK80Z-DG
PREZZO UNITARIO
2.27
TIPO DI SOSTITUZIONE
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