Numero di Prodotto del Fabbricante:
FQB13N06LTM
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FQB13N06LTM-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 13.6A D2PAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 60 V 13.6A (Tc) 3.75W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventario:
12846863
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
FQB13N06LTM Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
QFET®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
13.6A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
110mOhm @ 6.8A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
6.4 nC @ 5 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
350 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3.75W (Ta), 45W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-263 (D2PAK)
Pacchetto / Custodia
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numero di prodotto di base
FQB1
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
800
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
STB16NF06LT4
FABBRICANTE
STMicroelectronics
QUANTITÀ DISPONIBILE
1500
NUMERO DI PEZZO
STB16NF06LT4-DG
PREZZO UNITARIO
0.57
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
FQN1N60CTA
MOSFET N-CH 600V 300MA TO92-3
AO3420
MOSFET N-CH 20V 6A SOT23-3L
FDMC3612
MOSFET N-CH 100V 3.3A/16A 8MLP
