Numero di Prodotto del Fabbricante:
FQA10N80_F109
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FQA10N80_F109-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 800V 9.8A TO3P
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 800 V 9.8A (Tc) 240W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventario:
12836357
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
FQA10N80_F109 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
QFET®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
800 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
9.8A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.05Ohm @ 4.9A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
71 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2700 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
240W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-3P
Pacchetto / Custodia
TO-3P-3, SC-65-3
Numero di prodotto di base
FQA1
Scheda dati e documenti
Scheda Dati HTML
Schede dati
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
450
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
FQI7N60TU
MOSFET N-CH 600V 7.4A I2PAK
5HN01C-TB-EX
MOSFET N-CH 50V 100MA CP3
FDB120N10
MOSFET N-CH 100V 74A D2PAK