FQI7N60TU
Numero di Prodotto del Fabbricante:

FQI7N60TU

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

FQI7N60TU-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 600V 7.4A I2PAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 600 V 7.4A (Tc) 3.13W (Ta), 142W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)

Inventario:

1000 Pz Nuovo Originale Disponibile
12836358
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FQI7N60TU Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tube
Serie
QFET®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
600 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
7.4A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1Ohm @ 3.7A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1430 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3.13W (Ta), 142W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-262 (I2PAK)
Pacchetto / Custodia
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numero di prodotto di base
FQI7N60

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
1,000
Altri nomi
FAIFSCFQI7N60TU
2832-FQI7N60TU
2156-FQI7N60TU-OS
2832-FQI7N60TU-488

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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