Numero di Prodotto del Fabbricante:
FQI7N60TU
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FQI7N60TU-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 7.4A I2PAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 600 V 7.4A (Tc) 3.13W (Ta), 142W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Inventario:
1000 Pz Nuovo Originale Disponibile
12836358
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
FQI7N60TU Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tube
Serie
QFET®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
600 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
7.4A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1Ohm @ 3.7A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1430 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3.13W (Ta), 142W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-262 (I2PAK)
Pacchetto / Custodia
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numero di prodotto di base
FQI7N60
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
1,000
Altri nomi
FAIFSCFQI7N60TU
2832-FQI7N60TU
2156-FQI7N60TU-OS
2832-FQI7N60TU-488
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
5HN01C-TB-EX
MOSFET N-CH 50V 100MA CP3
FDB120N10
MOSFET N-CH 100V 74A D2PAK
HUFA76437S3ST
MOSFET N-CH 60V 71A D2PAK
