Numero di Prodotto del Fabbricante:
FJP2160DTU
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FJP2160DTU-DG
Descrizione:
TRANS NPN 800V 2A TO220-3
Descrizione Dettagliata:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 800 V 2 A 5MHz 100 W Through Hole TO-220-3
Inventario:
12848540
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FJP2160DTU Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Transistor Bipolari Singoli
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
ESBC™
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo di transistor
NPN
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
2 A
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
800 V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
750mV @ 330mA, 1A
Corrente - Taglio collettore (max)
100µA
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
20 @ 400mA, 3V
Potenza - Max
100 W
Frequenza - Transizione
5MHz
Temperatura
-55°C ~ 125°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto / Custodia
TO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220-3
Numero di prodotto di base
FJP216
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
1,000
Altri nomi
2832-FJP2160DTU
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
KSC5603DTU
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
4300
NUMERO DI PEZZO
KSC5603DTU-DG
PREZZO UNITARIO
0.57
TIPO DI SOSTITUZIONE
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