MJ11016G
Numero di Prodotto del Fabbricante:

MJ11016G

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

MJ11016G-DG

Descrizione:

TRANS NPN DARL 120V 30A TO204
Descrizione Dettagliata:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 120 V 30 A 4MHz 200 W Through Hole TO-204 (TO-3)

Inventario:

146 Pz Nuovo Originale Disponibile
12848544
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MJ11016G Specifiche Tecniche

Categoria
Bipolare (BJT), Transistor Bipolari Singoli
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tray
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
NPN - Darlington
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
30 A
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
120 V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
4V @ 300mA, 30A
Corrente - Taglio collettore (max)
1mA
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
1000 @ 20A, 5V
Potenza - Max
200 W
Frequenza - Transizione
4MHz
Temperatura
-55°C ~ 200°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto / Custodia
TO-204AA, TO-3
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-204 (TO-3)
Numero di prodotto di base
MJ11016

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
100
Altri nomi
ONSONSMJ11016G
2156-MJ11016G-OS
MJ11016GOS

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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