FDMS86163P

Numero di Prodotto del Fabbricante:

FDMS86163P

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

FDMS86163P-DG

Descrizione:

MOSFET P-CH 100V 7.9A/50A 8PQFN

Descrizione Dettagliata:

P-Channel 100 V 7.9A (Ta), 50A (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

Inventario:

RFQ Online

12848315

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FDMS86163P Specifiche Tecniche

Categoria

FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET

Produttore

onsemi

Imballaggio

Tape & Reel (TR)

Serie

PowerTrench®

Stato del prodotto

Active

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione da drain a source (Vdss)

100 V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C

7.9A (Ta), 50A (Tc)

Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 7.9A, 10V

vgs(th) (massimo) @ id

4V @ 250µA

Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs

59 nC @ 10 V

Vgs (massimo)

±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds

4085 pF @ 50 V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta), 104W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-PQFN (5x6)

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

Numero di prodotto di base

FDMS86163

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

Scheda Dati HTML

Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard

3,000

Altri nomi

FDMS86163PDKR

FDMS86163PTR

FDMS86163PCT

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS

ROHS3 Compliant

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)

1 (Unlimited)

Stato REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificazione DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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