Numero di Prodotto del Fabbricante:
FDFMA3N109
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FDFMA3N109-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 2.9A 6MICROFET
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 30 V 2.9A (Tc) 1.5W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
Inventario:
12848317
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FDFMA3N109 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
PowerTrench®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
2.9A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
123mOhm @ 2.9A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id
1.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
3 nC @ 4.5 V
Vgs (massimo)
±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
220 pF @ 15 V
Funzione FET
Schottky Diode (Isolated)
Dissipazione di potenza (max)
1.5W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
6-MicroFET (2x2)
Pacchetto / Custodia
6-VDFN Exposed Pad
Numero di prodotto di base
FDFMA3
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
FDFMA3N109FSCT
FDFMA3N109DKR-DG
FDFMA3N109TR-DG
2832-FDFMA3N109TR
FDFMA3N109CT-DG
FDFMA3N109DKR
FDFMA3N109FSDKR
FDFMA3N109TR
FDFMA3N109CT
FDFMA3N109FSTR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
NTLJF4156NT1G
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
28406
NUMERO DI PEZZO
NTLJF4156NT1G-DG
PREZZO UNITARIO
0.18
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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