FDMS5672

Numero di Prodotto del Fabbricante:

FDMS5672

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

FDMS5672-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 60V 10.6A/22A 8MLP

Descrizione Dettagliata:

N-Channel 60 V 10.6A (Ta), 22A (Tc) 2.5W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount 8-MLP (5x6), Power56

Inventario:

5479 Pz Nuovo Originale Disponibile

12839130

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FDMS5672 Specifiche Tecniche

Categoria

FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET

Produttore

onsemi

Imballaggio

Tape & Reel (TR)

Serie

UltraFET™

Stato del prodotto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione da drain a source (Vdss)

60 V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C

10.6A (Ta), 22A (Tc)

Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11.5mOhm @ 10.6A, 10V

vgs(th) (massimo) @ id

4V @ 250µA

Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs

45 nC @ 10 V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds

2800 pF @ 30 V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta), 78W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-MLP (5x6), Power56

Pacchetto / Custodia

8-PowerWDFN

Numero di prodotto di base

FDMS56

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

Scheda Dati HTML

Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard

3,000

Altri nomi

FDMS5672CT

FDMS5672TR

FDMS5672DKR

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS

ROHS3 Compliant

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)

1 (Unlimited)

Stato REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificazione DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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