Numero di Prodotto del Fabbricante:
FDI030N06
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FDI030N06-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 231W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Inventario:
12849437
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
FDI030N06 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tube
Serie
PowerTrench®
Stato del prodotto
Last Time Buy
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.2mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
151 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
9815 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
231W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-262 (I2PAK)
Pacchetto / Custodia
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numero di prodotto di base
FDI030
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
50
Altri nomi
2832-FDI030N06-488
2832-FDI030N06
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
NTBGS2D5N06C
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
796
NUMERO DI PEZZO
NTBGS2D5N06C-DG
PREZZO UNITARIO
2.74
TIPO DI SOSTITUZIONE
MFR Recommended
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
FDC645N_F095
MOSFET N-CH 30V 5.5A SUPERSOT6
AO6420
MOSFET N-CH 60V 4.2A 6TSOP
FCA47N60
MOSFET N-CH 600V 47A TO3PN
