FDI030N06
Numero di Prodotto del Fabbricante:

FDI030N06

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

FDI030N06-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 231W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)

Inventario:

12849437
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA

FDI030N06 Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tube
Serie
PowerTrench®
Stato del prodotto
Last Time Buy
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.2mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
151 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
9815 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
231W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-262 (I2PAK)
Pacchetto / Custodia
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numero di prodotto di base
FDI030

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
50
Altri nomi
2832-FDI030N06-488
2832-FDI030N06

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelli Alternativi

NUMERO DI PARTE
NTBGS2D5N06C
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
796
NUMERO DI PEZZO
NTBGS2D5N06C-DG
PREZZO UNITARIO
2.74
TIPO DI SOSTITUZIONE
MFR Recommended
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
onsemi

FDC645N_F095

MOSFET N-CH 30V 5.5A SUPERSOT6

alpha-and-omega-semiconductor

AO6420

MOSFET N-CH 60V 4.2A 6TSOP

onsemi

FCA47N60

MOSFET N-CH 600V 47A TO3PN

onsemi

FDMS86150ET100

MOSFET N-CH 100V 16A POWER56