Numero di Prodotto del Fabbricante:
NTBGS2D5N06C
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
NTBGS2D5N06C-DG
Descrizione:
POWER MOSFET, 60 V, 2.5 M?, 224
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 60 V 27A (Ta), 169A (Tc) 3.7W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventario:
796 Pz Nuovo Originale Disponibile
12954659
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NTBGS2D5N06C Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Last Time Buy
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
27A (Ta), 169A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V, 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.5mOhm @ 35A, 12V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 175µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
45.4 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
3510 pF @ 30 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3.7W (Ta), 136W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-263 (D2PAK)
Pacchetto / Custodia
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
800
Altri nomi
488-NTBGS2D5N06CTR
488-NTBGS2D5N06CDKR
488-NTBGS2D5N06CCT
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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