Numero di Prodotto del Fabbricante:
FDG314P
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FDG314P-DG
Descrizione:
MOSFET P-CH 25V 650MA SC88
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 25 V 650mA (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SC-88 (SC-70-6)
Inventario:
12848108
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FDG314P Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
25 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
650mA (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
2.7V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.1Ohm @ 500mA, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id
1.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
1.5 nC @ 4.5 V
Vgs (massimo)
±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
63 pF @ 10 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
750mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
SC-88 (SC-70-6)
Pacchetto / Custodia
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Numero di prodotto di base
FDG314
Scheda dati e documenti
Scheda Dati HTML
Schede dati
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
NTJS4151PT1G
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
10423
NUMERO DI PEZZO
NTJS4151PT1G-DG
PREZZO UNITARIO
0.08
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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