FDD6512A

Numero di Prodotto del Fabbricante:

FDD6512A

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

FDD6512A-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 20V 10.7A/36A DPAK

Descrizione Dettagliata:

N-Channel 20 V 10.7A (Ta), 36A (Tc) 3.8W (Ta), 43W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Inventario:

RFQ Online

12848114

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FDD6512A Specifiche Tecniche

Categoria

FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET

Produttore

onsemi

Imballaggio

-

Serie

PowerTrench®

Stato del prodotto

Obsolete

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione da drain a source (Vdss)

20 V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C

10.7A (Ta), 36A (Tc)

Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21mOhm @ 10.7A, 4.5V

vgs(th) (massimo) @ id

1.5V @ 250µA

Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs

19 nC @ 4.5 V

Vgs (massimo)

±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds

1082 pF @ 10 V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.8W (Ta), 43W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-252AA

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Numero di prodotto di base

FDD651

Scheda dati e documenti

Scheda Dati HTML

Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard

2,500

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)

1 (Unlimited)

Stato REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificazione DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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