Numero di Prodotto del Fabbricante:
IPD135N03LGATMA1
Product Overview
Produttore:
Infineon Technologies
Numero di Parte:
IPD135N03LGATMA1-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 30 V 30A (Tc) 31W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventario:
31780 Pz Nuovo Originale Disponibile
12800484
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
IPD135N03LGATMA1 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Infineon Technologies
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
13.5mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.2V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1000 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
31W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PG-TO252-3
Pacchetto / Custodia
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numero di prodotto di base
IPD135
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,500
Altri nomi
IPD135N03L G
SP000796912
IPD135N03L GDKR-DG
IPD135N03L GCT-DG
IPD135N03L GDKR
IPD135N03LGATMA1DKR
IPD135N03L GCT
IPD135N03L GTR
IPD135N03LGATMA1TR
IPD135N03L GTR-DG
IPD135N03LGATMA1CT
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
IPB067N08N3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK
IPD14N06S280ATMA2
MOSFET N-CH 55V 17A TO252-31
BSZ0902NSIATMA1
MOSFET N-CH 30V 21A/40A TSDSON