FDD850N10LD
Numero di Prodotto del Fabbricante:

FDD850N10LD

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

FDD850N10LD-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 100V 15.3A TO252-4L
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 100 V 15.3A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)

Inventario:

12840312
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FDD850N10LD Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
PowerTrench®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
15.3A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
75mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
28.9 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1465 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
42W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-252 (DPAK)
Pacchetto / Custodia
TO-252-5, DPAK (4 Leads + Tab), TO-252AD
Numero di prodotto di base
FDD850

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
2,500
Altri nomi
FDD850N10LDTR
FDD850N10LDDKR
FDD850N10LDCT
FDD850N10LD-DG

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelli Alternativi

NUMERO DI PARTE
FDD850N10L
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
8609
NUMERO DI PEZZO
FDD850N10L-DG
PREZZO UNITARIO
0.40
TIPO DI SOSTITUZIONE
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