FDD850N10L
Numero di Prodotto del Fabbricante:

FDD850N10L

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

FDD850N10L-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 100V 15.7A DPAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 100 V 15.7A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Inventario:

8609 Pz Nuovo Originale Disponibile
12846636
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FDD850N10L Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
PowerTrench®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
15.7A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
75mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
28.9 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1465 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
50W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-252AA
Pacchetto / Custodia
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numero di prodotto di base
FDD850

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
2,500
Altri nomi
FDD850N10LTR
FDD850N10LCT
FDD850N10L-DG
FDD850N10LDKR

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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