FDB082N15A
Numero di Prodotto del Fabbricante:

FDB082N15A

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

FDB082N15A-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 150V 117A D2PAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 150 V 117A (Tc) 294W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventario:

508 Pz Nuovo Originale Disponibile
12845906
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FDB082N15A Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
PowerTrench®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
150 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
117A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.2mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
84 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
6040 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
294W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-263 (D2PAK)
Pacchetto / Custodia
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numero di prodotto di base
FDB082

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
800
Altri nomi
FDB082N15A-DG
FDB082N15AFSCT
FDB082N15AFSDKR
FDB082N15AFSTR

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelli Alternativi

NUMERO DI PARTE
IXTA140N12T2
FABBRICANTE
IXYS
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
IXTA140N12T2-DG
PREZZO UNITARIO
3.93
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
IPB072N15N3GATMA1
FABBRICANTE
Infineon Technologies
QUANTITÀ DISPONIBILE
4910
NUMERO DI PEZZO
IPB072N15N3GATMA1-DG
PREZZO UNITARIO
2.99
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
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FABBRICANTE
Infineon Technologies
QUANTITÀ DISPONIBILE
3546
NUMERO DI PEZZO
IPB108N15N3GATMA1-DG
PREZZO UNITARIO
2.29
TIPO DI SOSTITUZIONE
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