FQD8P10TM_F080
Numero di Prodotto del Fabbricante:

FQD8P10TM_F080

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

FQD8P10TM_F080-DG

Descrizione:

MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 100 V 6.6A (Tc) 2.5W (Ta), 44W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Inventario:

RFQ Online
12845910
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FQD8P10TM_F080 Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
QFET®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
6.6A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
530mOhm @ 3.3A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
470 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2.5W (Ta), 44W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-252AA
Pacchetto / Custodia
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numero di prodotto di base
FQD8

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
2,500

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelli Alternativi

NUMERO DI PARTE
FQD8P10TM-F085
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
8244
NUMERO DI PEZZO
FQD8P10TM-F085-DG
PREZZO UNITARIO
0.47
TIPO DI SOSTITUZIONE
Parametric Equivalent
NUMERO DI PARTE
FQD8P10TM
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
1680
NUMERO DI PEZZO
FQD8P10TM-DG
PREZZO UNITARIO
0.25
TIPO DI SOSTITUZIONE
Parametric Equivalent
NUMERO DI PARTE
IRFR9120NTRPBF
FABBRICANTE
Infineon Technologies
QUANTITÀ DISPONIBILE
20109
NUMERO DI PEZZO
IRFR9120NTRPBF-DG
PREZZO UNITARIO
0.35
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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