FDA59N25
Numero di Prodotto del Fabbricante:

FDA59N25

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

FDA59N25-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 250V 59A TO3PN
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 250 V 59A (Tc) 392W (Tc) Through Hole TO-3PN

Inventario:

535 Pz Nuovo Originale Disponibile
12850867
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA

FDA59N25 Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tube
Serie
UniFET™
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
250 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
59A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
49mOhm @ 29.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
82 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
4020 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
392W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-3PN
Pacchetto / Custodia
TO-3P-3, SC-65-3
Numero di prodotto di base
FDA59

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
30
Altri nomi
2156-FDA59N25-OS
ONSONSFDA59N25

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
onsemi

FDP3672

MOSFET N-CH 105V 5.9A/41A TO220

onsemi

FQD11P06TM

MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK

onsemi

FQD19N10TF

MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK

onsemi

FDD8896-F085

MOSFET N-CH 30V 17A/94A TO252AA