FDP3672
Numero di Prodotto del Fabbricante:

FDP3672

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

FDP3672-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 105V 5.9A/41A TO220
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 105 V 5.9A (Ta), 41A (Tc) 135W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventario:

652 Pz Nuovo Originale Disponibile
12850868
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA

FDP3672 Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tube
Serie
PowerTrench®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
105 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
5.9A (Ta), 41A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
33mOhm @ 41A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
37 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1670 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
135W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220-3
Pacchetto / Custodia
TO-220-3
Numero di prodotto di base
FDP36

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
FDP3672
Scheda Dati HTML
FDP3672-DG
Schede dati
FDP3672

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
50

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Prodotti correlati
onsemi

FQD11P06TM

MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK

onsemi

FQD19N10TF

MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK

onsemi

FDD8896-F085

MOSFET N-CH 30V 17A/94A TO252AA

onsemi

FQPF4N90CT

MOSFET N-CH 900V 4A TO220F