FQI6N40CTU
Numero di Prodotto del Fabbricante:

FQI6N40CTU

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

FQI6N40CTU-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 400V 6A I2PAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 400 V 6A (Tc) 73W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)

Inventario:

12846714
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FQI6N40CTU Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
QFET®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
400 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1Ohm @ 3A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
625 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
73W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-262 (I2PAK)
Pacchetto / Custodia
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numero di prodotto di base
FQI6

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
1,000

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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