FCP104N60F
Numero di Prodotto del Fabbricante:

FCP104N60F

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

FCP104N60F-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 600V 37A TO220-3
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 600 V 37A (Tc) 357W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventario:

794 Pz Nuovo Originale Disponibile
12930601
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA

FCP104N60F Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tube
Serie
HiPerFET™, Polar™
Stato del prodotto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
600 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
37A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
104mOhm @ 18.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
145 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
6130 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
357W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220-3
Pacchetto / Custodia
TO-220-3
Numero di prodotto di base
FCP104

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
50
Altri nomi
FCP104N60FOS
FCP104N60F-DG

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelli Alternativi

NUMERO DI PARTE
IPP60R125P6XKSA1
FABBRICANTE
Infineon Technologies
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
IPP60R125P6XKSA1-DG
PREZZO UNITARIO
2.16
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
STP34NM60ND
FABBRICANTE
STMicroelectronics
QUANTITÀ DISPONIBILE
969
NUMERO DI PEZZO
STP34NM60ND-DG
PREZZO UNITARIO
5.81
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
R6035VNX3C16
FABBRICANTE
Rohm Semiconductor
QUANTITÀ DISPONIBILE
925
NUMERO DI PEZZO
R6035VNX3C16-DG
PREZZO UNITARIO
3.19
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
IPP60R099P6XKSA1
FABBRICANTE
Infineon Technologies
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
IPP60R099P6XKSA1-DG
PREZZO UNITARIO
2.69
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
IPP60R099C7XKSA1
FABBRICANTE
Infineon Technologies
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
IPP60R099C7XKSA1-DG
PREZZO UNITARIO
2.11
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
onsemi

NTMFS4825NFET1G

MOSFET N-CH 30V 17A/171A 5DFN

onsemi

FQPF2NA90

MOSFET N-CH 900V 1.7A TO220F

alpha-and-omega-semiconductor

AO3418L

MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3

onsemi

FDP18N20F

MOSFET N-CH 200V 18A TO220-3