Numero di Prodotto del Fabbricante:
FDP18N20F
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FDP18N20F-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 200V 18A TO220-3
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 200 V 18A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventario:
12930621
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FDP18N20F Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
UniFET™
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
200 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
145mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1180 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
100W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220-3
Pacchetto / Custodia
TO-220-3
Numero di prodotto di base
FDP18
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
50
Altri nomi
2156-FDP18N20F-488
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
FDPF18N20FT
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
FDPF18N20FT-DG
PREZZO UNITARIO
0.60
TIPO DI SOSTITUZIONE
MFR Recommended
NUMERO DI PARTE
IRF640NPBF
FABBRICANTE
Infineon Technologies
QUANTITÀ DISPONIBILE
63317
NUMERO DI PEZZO
IRF640NPBF-DG
PREZZO UNITARIO
0.41
TIPO DI SOSTITUZIONE
Direct
Certificazione DIGI
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