Numero di Prodotto del Fabbricante:
FCMT299N60
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FCMT299N60-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 12A POWER88
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 600 V 12A (Ta) 125W (Tc) Surface Mount Power88
Inventario:
2390 Pz Nuovo Originale Disponibile
12851108
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FCMT299N60 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
SuperFET® II
Stato del prodotto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
600 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
12A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
299mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1948 pF @ 380 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
125W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
Power88
Pacchetto / Custodia
4-PowerTSFN
Numero di prodotto di base
FCMT299
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
1990-FCMT299N60TR
FCMT299N60DKR
FCMT299N60TR
2156-FCMT299N60
FCMT299N60CT
1990-FCMT299N60DKR
1990-FCMT299N60CT
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IPL60R299CPAUMA1
FABBRICANTE
Infineon Technologies
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
IPL60R299CPAUMA1-DG
PREZZO UNITARIO
1.29
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
FCMT299N60
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
2390
NUMERO DI PEZZO
FCMT299N60-DG
PREZZO UNITARIO
1.85
TIPO DI SOSTITUZIONE
Parametric Equivalent
Certificazione DIGI
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