FCMT180N65S3
Numero di Prodotto del Fabbricante:

FCMT180N65S3

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

FCMT180N65S3-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 650V 17A POWER88
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 650 V 17A (Tc) 139W (Tc) Surface Mount Power88

Inventario:

3000 Pz Nuovo Originale Disponibile
12837474
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FCMT180N65S3 Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
SuperFET® III
Stato del prodotto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 8.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4.5V @ 1.8mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1350 pF @ 400 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
139W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
Power88
Pacchetto / Custodia
4-PowerTSFN
Numero di prodotto di base
FCMT180

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
FCMT180N65S3OSTR
FCMT180N65S3OSCT
FCMT180N65S3-DG
FCMT180N65S3OSDKR

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelli Alternativi

NUMERO DI PARTE
IPL60R185P7AUMA1
FABBRICANTE
Infineon Technologies
QUANTITÀ DISPONIBILE
5980
NUMERO DI PEZZO
IPL60R185P7AUMA1-DG
PREZZO UNITARIO
1.15
TIPO DI SOSTITUZIONE
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