Numero di Prodotto del Fabbricante:
FDS2670
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FDS2670-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 200 V 3A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventario:
2359 Pz Nuovo Originale Disponibile
12837484
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FDS2670 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
PowerTrench®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
200 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
3A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
130mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1228 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2.5W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
8-SOIC
Pacchetto / Custodia
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numero di prodotto di base
FDS26
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,500
Altri nomi
FDS2670TR
FDS2670CT
ONSONSFDS2670
2156-FDS2670-OS
FDS2670DKR
FDS2670-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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