Numero di Prodotto del Fabbricante:
FCH099N65S3_F155
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FCH099N65S3_F155-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 650V 30A TO247-3
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 650 V 30A (Tc) 227W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventario:
12846774
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FCH099N65S3_F155 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
SuperFET® III
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
99mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4.5V @ 3mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
61 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2480 pF @ 400 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
227W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-247-3
Pacchetto / Custodia
TO-247-3
Numero di prodotto di base
FCH099
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
450
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
TSM60NB099PW C1G
FABBRICANTE
Taiwan Semiconductor Corporation
QUANTITÀ DISPONIBILE
2055
NUMERO DI PEZZO
TSM60NB099PW C1G-DG
PREZZO UNITARIO
4.18
TIPO DI SOSTITUZIONE
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NUMERO DI PARTE
IXFX48N60Q3
FABBRICANTE
IXYS
QUANTITÀ DISPONIBILE
38
NUMERO DI PEZZO
IXFX48N60Q3-DG
PREZZO UNITARIO
17.23
TIPO DI SOSTITUZIONE
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NUMERO DI PARTE
IPW60R125C6FKSA1
FABBRICANTE
Infineon Technologies
QUANTITÀ DISPONIBILE
270
NUMERO DI PEZZO
IPW60R125C6FKSA1-DG
PREZZO UNITARIO
2.62
TIPO DI SOSTITUZIONE
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NUMERO DI PARTE
APT30N60BC6
FABBRICANTE
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QUANTITÀ DISPONIBILE
2
NUMERO DI PEZZO
APT30N60BC6-DG
PREZZO UNITARIO
5.18
TIPO DI SOSTITUZIONE
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QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
IXTH32N65X-DG
PREZZO UNITARIO
5.96
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