Numero di Prodotto del Fabbricante:
HUF75531SK8T
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
HUF75531SK8T-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 80V 6A 8SOIC
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 80 V 6A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventario:
12846785
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HUF75531SK8T Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
UltraFET™
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
80 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
6A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
30mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
82 nC @ 20 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1210 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2.5W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
8-SOIC
Pacchetto / Custodia
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numero di prodotto di base
HUF75
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,500
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IRF7473TRPBF
FABBRICANTE
Infineon Technologies
QUANTITÀ DISPONIBILE
6945
NUMERO DI PEZZO
IRF7473TRPBF-DG
PREZZO UNITARIO
0.53
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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