FCH099N65S3-F155
Numero di Prodotto del Fabbricante:

FCH099N65S3-F155

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

FCH099N65S3-F155-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 650V 30A TO247-3
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 650 V 30A (Tc) 227W (Tc) Through Hole TO-247-3

Inventario:

390 Pz Nuovo Originale Disponibile
12848104
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FCH099N65S3-F155 Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tube
Serie
SuperFET® III
Stato del prodotto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
99mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4.5V @ 3mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
61 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2480 pF @ 400 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
227W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-247-3
Pacchetto / Custodia
TO-247-3
Numero di prodotto di base
FCH099

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
FCH099N65S3
Scheda Dati HTML
FCH099N65S3-F155-DG
Schede dati
FCH099N65S3-F155

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
30

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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