Numero di Prodotto del Fabbricante:
FCA36N60NF
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FCA36N60NF-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 34.9A TO3PN
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 600 V 34.9A (Tc) 312W (Tc) Through Hole TO-3PN
Inventario:
12850149
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FCA36N60NF Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
FRFET®, SupreMOS®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
600 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
34.9A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
95mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
112 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
4245 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
312W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-3PN
Pacchetto / Custodia
TO-3P-3, SC-65-3
Numero di prodotto di base
FCA36N60
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
450
Altri nomi
488-FCA36N60NF
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
TK31J60W,S1VQ
FABBRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÀ DISPONIBILE
25
NUMERO DI PEZZO
TK31J60W,S1VQ-DG
PREZZO UNITARIO
4.32
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
TK31J60W5,S1VQ
FABBRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÀ DISPONIBILE
25
NUMERO DI PEZZO
TK31J60W5,S1VQ-DG
PREZZO UNITARIO
4.54
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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