Numero di Prodotto del Fabbricante:
TK31J60W5,S1VQ
Product Overview
Produttore:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numero di Parte:
TK31J60W5,S1VQ-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 30.8A TO3P
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 600 V 30.8A (Ta) 230W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
Inventario:
25 Pz Nuovo Originale Disponibile
12889752
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TK31J60W5,S1VQ Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Imballaggio
Tube
Serie
DTMOSIV
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
600 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
30.8A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
88mOhm @ 15.4A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3.7V @ 1.5mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
105 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
3000 pF @ 300 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
230W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-3P(N)
Pacchetto / Custodia
TO-3P-3, SC-65-3
Numero di prodotto di base
TK31J60
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
25
Altri nomi
TK31J60W5S1VQ
TK31J60W5,S1VQ(O
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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