Numero di Prodotto del Fabbricante:
FCA22N60N
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FCA22N60N-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 22A TO3PN
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 600 V 22A (Tc) 205W (Tc) Through Hole TO-3PN
Inventario:
12850640
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
FCA22N60N Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
SupreMOS™
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
600 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
165mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1950 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
205W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-3PN
Pacchetto / Custodia
TO-3P-3, SC-65-3
Numero di prodotto di base
FCA22N60
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
30
Altri nomi
2832-FCA22N60N
FCA22N60NOS
FCA22N60N-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IXFQ50N60P3
FABBRICANTE
IXYS
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
IXFQ50N60P3-DG
PREZZO UNITARIO
5.29
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
FCU2250N80Z
MOSFET N-CH 800V 2.6A IPAK
AON6440
MOSFET N-CH 40V 20A/85A 8DFN
FQPF12P20XDTU
MOSFET P-CH 200V 7.3A TO220F
