FCA22N60N
Numero di Prodotto del Fabbricante:

FCA22N60N

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

FCA22N60N-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 600V 22A TO3PN
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 600 V 22A (Tc) 205W (Tc) Through Hole TO-3PN

Inventario:

12850640
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA

FCA22N60N Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
SupreMOS™
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
600 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
165mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1950 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
205W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-3PN
Pacchetto / Custodia
TO-3P-3, SC-65-3
Numero di prodotto di base
FCA22N60

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
30
Altri nomi
2832-FCA22N60N
FCA22N60NOS
FCA22N60N-DG

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelli Alternativi

NUMERO DI PARTE
IXFQ50N60P3
FABBRICANTE
IXYS
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
IXFQ50N60P3-DG
PREZZO UNITARIO
5.29
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
onsemi

FCU2250N80Z

MOSFET N-CH 800V 2.6A IPAK

alpha-and-omega-semiconductor

AON6440

MOSFET N-CH 40V 20A/85A 8DFN

onsemi

FQPF12P20XDTU

MOSFET P-CH 200V 7.3A TO220F

onsemi

HUFA75345P3

MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3