FCU2250N80Z

Numero di Prodotto del Fabbricante:

FCU2250N80Z

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

FCU2250N80Z-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 800V 2.6A IPAK

Descrizione Dettagliata:

N-Channel 800 V 2.6A (Tc) 39W (Tc) Through Hole I-PAK

Inventario:

RFQ Online

12850644

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FCU2250N80Z Specifiche Tecniche

Categoria

FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET

Produttore

onsemi

Imballaggio

-

Serie

SuperFET® II

Stato del prodotto

Obsolete

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione da drain a source (Vdss)

800 V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C

2.6A (Tc)

Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.25Ohm @ 1.3A, 10V

vgs(th) (massimo) @ id

4.5V @ 260µA

Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs

14 nC @ 10 V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds

585 pF @ 100 V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

39W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

I-PAK

Pacchetto / Custodia

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Numero di prodotto di base

FCU2250

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

Scheda Dati HTML

Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard

1,800

Altri nomi

2166-FCU2250N80Z-488

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS

ROHS3 Compliant

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)

Not Applicable

Stato REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificazione DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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