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Domande Frequenti
Numero di Prodotto del Fabbricante:
BFL4026-1E
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
BFL4026-1E-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 900V 3.5A TO220F-3FS
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 900 V 3.5A (Tc) 2W (Ta), 35W (Tc) Through Hole TO-220F-3FS
Inventario:
RFQ Online
12838444
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BFL4026-1E Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
900 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
3.5A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.6Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
-
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
650 pF @ 30 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2W (Ta), 35W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220F-3FS
Pacchetto / Custodia
TO-220-3 Full Pack
Numero di prodotto di base
BFL4026
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
BFL4026
Scheda Dati HTML
BFL4026-1E-DG
Schede dati
BFL4026-1E
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
50
Altri nomi
2832-BFL4026-1E
ONSONSBFL4026-1E
2156-BFL4026-1E-OS
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
2SK3798(STA4,Q,M)
FABBRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
2SK3798(STA4,Q,M)-DG
PREZZO UNITARIO
0.51
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
IRFIBF30GPBF
FABBRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTITÀ DISPONIBILE
888
NUMERO DI PEZZO
IRFIBF30GPBF-DG
PREZZO UNITARIO
1.53
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
IXFP5N100PM
FABBRICANTE
IXYS
QUANTITÀ DISPONIBILE
207
NUMERO DI PEZZO
IXFP5N100PM-DG
PREZZO UNITARIO
3.67
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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