Numero di Prodotto del Fabbricante:
IRFIBF30GPBF
Product Overview
Produttore:
Vishay Siliconix
Numero di Parte:
IRFIBF30GPBF-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220-3
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 900 V 1.9A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventario:
888 Pz Nuovo Originale Disponibile
13054080
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IRFIBF30GPBF Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Vishay
Imballaggio
Tube
Serie
-
Imballaggio
Tube
Stato parte
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
900 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
1.9A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.7Ohm @ 1.1A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1200 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
35W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220-3
Pacchetto / Custodia
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Numero di prodotto di base
IRFIBF30
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
50
Altri nomi
742-IRFIBF30GPBF
IRFIBF30GPBF-ND
*IRFIBF30GPBF
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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